Transistors. Page 83 sur 114. Avtronic

Transistor IRFR9024N

2.58€ TTC

213 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.175 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9120N

3.19€ TTC

17 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 6.6A. Puissance: 40W. Résistance passante (Rds)<0.48 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFR9220

3.25€ TTC

87 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 200V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFRC20

3.81€ TTC

272 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 42W. Rds <4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFS630A

3.58€ TTC

396 En stock

Transistor IRFS630A N-MOS 200V 6.5A/36Ap.38W 0.4R(4.1A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.1 A. Rds (Ohms): 0.4.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFS630B

4.70€ TTC

154 En stock

Transistor IRFS630B N-MOS 200V 6.5A/26Ap.38W 0.34R(4.1A). Power MOSFET. Low gate charge (typical 22nC). Low Crss (typical. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFS634A

3.58€ TTC

76 En stock

Transistor IRFS634A N-MOS 250V 5.8A/32Ap. 35W 0.45R(3.7A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SSU. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.7 A. Rds (Ohms): 0.45.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFS740

3.81€ TTC

463 En stock

Transistor IRFS740 N-MOS 400V 5.5A/40Ap 40W<0.55R(3.9). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.55. Courant impulsion: 40 Ap. Puissance: 40 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFU024N

2.18€ TTC

111 En stock

Transistor IRFU024N N-MOS 55V 17A/68Ap. 45W 0.75R (12A). HEXFET? Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Fast Switching.. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFU110

3.25€ TTC

112 En stock

Transistor IRFU110 N-MOS 100V 4.3A/17Ap. 25W 0.54R (2.7A). HEXFET? Power MOSFET. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.7 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFU210

4.03€ TTC

76 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 2.6A/10Ap 1.5R 25W (1.7A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFU230A

12.54€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFU230A N-MOS 200V 7.5A 2.5W*/50W 0.33R(4.8A). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Puissance: 2.5 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU230B

13.05€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFU230B N-MOS 200V 7.5A 2.5W*/50W 0.34R(4.8A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Puissance: 2.5 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU420

3.08€ TTC

39 En stock

Transistor IRFU420 N-MOS 500V 2.4A 42W <3R(1.4A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.4 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 42 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFU9024

2.91€ TTC

72 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFU9024N

2.52€ TTC

30 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds):<0.175 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFUC20

3.25€ TTC

96 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 2A/8Ap 42W. Résistance passante RDSon : 4.4 Ohms (1.2A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ24N

2.69€ TTC

142 En stock

Transistor IRFZ24N N-MOS 55V 17A 60W<0.07R(10A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.07. Puissance: 60 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ34N

3.42€ TTC

77 En stock

Transistor IRFZ34N N-MOS 55V 29A 88W<0.04R(18A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 29 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 18 A. Rds (Ohms): 0.04. Puissance: 88 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ44N

2.91€ TTC

153 En stock

Transistor IRFZ44N N-MOS 55V 49A 94W<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.017

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ44NS

3.70€ TTC

24 En stock

Transistor IRFZ44NS N-MOS 55V 49A 3.8W(94W*)<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Puissance: 3.8 W

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRFR9024N

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.175 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9120N

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 6.6A. Puissance: 40W. Résistance passante (Rds)<0.48 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9220

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 200V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<1.5 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFRC20

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 600V. Courant de Drain maxi: 2A. Puissance: 42W. Rds <4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFS630A

Transistor IRFS630A N-MOS 200V 6.5A/36Ap.38W 0.4R(4.1A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.1 A. Rds (Ohms): 0.4.

Transistor IRFS630B

Transistor IRFS630B N-MOS 200V 6.5A/26Ap.38W 0.34R(4.1A). Power MOSFET. Low gate charge (typical 22nC). Low Crss (typical. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A.

Transistor IRFS634A

Transistor IRFS634A N-MOS 250V 5.8A/32Ap. 35W 0.45R(3.7A). Advanced Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SSU. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.7 A. Rds (Ohms): 0.45.

Transistor IRFS740

Transistor IRFS740 N-MOS 400V 5.5A/40Ap 40W<0.55R(3.9). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: SEC. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.55. Courant impulsion: 40 Ap. Puissance: 40 W

Transistor IRFU024N

Transistor IRFU024N N-MOS 55V 17A/68Ap. 45W 0.75R (12A). HEXFET? Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Fast Switching.. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A.

Transistor IRFU110

Transistor IRFU110 N-MOS 100V 4.3A/17Ap. 25W 0.54R (2.7A). HEXFET? Power MOSFET. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.7 A.

Transistor IRFU210

Transistor MOSFET canal N 200V 2.6A/10Ap 1.5R 25W (1.7A)

Transistor IRFU230A

Transistor IRFU230A N-MOS 200V 7.5A 2.5W*/50W 0.33R(4.8A). POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Puissance: 2.5 W

Transistor IRFU230B

Transistor IRFU230B N-MOS 200V 7.5A 2.5W*/50W 0.34R(4.8A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Puissance: 2.5 W

Transistor IRFU420

Transistor IRFU420 N-MOS 500V 2.4A 42W <3R(1.4A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.4 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 42 W

Transistor IRFU9024

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Transistor IRFU9024N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds):<0.175 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Transistor MOSFET canal-N IRFUC20

Transistor MOSFET canal-N 600V 2A/8Ap 42W. Résistance passante RDSon : 4.4 Ohms (1.2A)

Transistor IRFZ24N

Transistor IRFZ24N N-MOS 55V 17A 60W<0.07R(10A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.07. Puissance: 60 W

Transistor IRFZ34N

Transistor IRFZ34N N-MOS 55V 29A 88W<0.04R(18A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 29 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 18 A. Rds (Ohms): 0.04. Puissance: 88 W

Transistor IRFZ44N

Transistor IRFZ44N N-MOS 55V 49A 94W<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.017

Transistor IRFZ44NS

Transistor IRFZ44NS N-MOS 55V 49A 3.8W(94W*)<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Puissance: 3.8 W

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